ёмкость p-n-перехода

См. также в других словарях:

• ёмкость коллекторного перехода — kolektoriaus sandūros talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. collector junction capacitance vok. Kollektor Basis Kapazität, f rus. ёмкость коллекторного перехода, f pranc. capacité de jonction collecteur base, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ТЕПЛОЁМКОСТЬ — количество теплоты, поглощаемой телом при нагревании на 1 градус (1°С или 1К); точнее отношение кол ва теплоты, поглощаемой телом при бесконечно малом изменении его темп ры, к этому изменению. Т. ед. массы в ва (г, кг) наз. удельной Т., 1 моля в… …   Физическая энциклопедия

• ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕПЛОЁМКОСТЬ — часть полной теплоёмкости твёрдого тела, обусловленная тепловым движением электронов. Э. т. диэлектриков и слаболегированных полупроводников, как правило, пренебрежимо мала. В вырожденных полупроводниках и металлах (в несверхпрово дящем… …   Физическая энциклопедия

• Объёмная теплоёмкость — характеризует способность данного объёма вещества увеличивать свою внутреннюю энергию при изменении температуры вещества без осуществления фазового перехода. Объёмная теплоёмкость отличается от удельной теплоёмкости, которая характеризует… …   Википедия

• Теплоёмкость электронного газа — количество теплоты, которую необходимо передать электронному газу для того, чтобы повысить его температуру на 1 К. Она намного меньше по величине при высоких температурах, чем теплоёмкость кристаллической решётки. Вырожденный газ Для вырожденного …   Википедия

• Теплоёмкость —         количество теплоты, поглощаемой телом при нагревании на 1 градус; точнее отношение количества теплоты, поглощаемой телом при бесконечно малом изменении его температуры, к этому изменению Т. единицы массы вещества (г, кг) называется… …   Большая советская энциклопедия

• P — n-переход — (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… …   Википедия

• Р — n-переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

• Электронно-дырочный переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …   Википедия

• Полупроводниковый диод —         двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д.» объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей… …   Большая советская энциклопедия

• СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ — свойство мн. проводников, состоящее в том, что их электрич. сопротивление скачком падает до нуля при охлаждении ниже определённой критич. темп ры Тк, характерной для данного материала. С. обнаружена у более чем 25 металлич. элементов, у большого… …   Физическая энциклопедия